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STGD6M65DF2 Especificaciones técnicas

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Switching Energy 36µJ (on), 200µJ (off)
Series M
Power - Max 88W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Td (on/off) @ 25°C 15ns/90ns
Supplier Device Package DPAK
Reverse Recovery Time (trr) 140ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 21.2nC
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
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Otros incluyen   "STGD6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STGD6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGD6NC60H GD6NC60H ST CIs Calientes Especializados 1034
STGD6NC60H-1 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2691
STGD6NC60HD ST CIs Calientes Especializados 429
STGD6NC60HD GD6NC60HD ST CIs Calientes Especializados 900
STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 1348
STGD6NC60HT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2555

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