STGD3NC120H-1 Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 16A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800V, 3A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 236µJ (on), 290µJ (off)
Power - Max 105W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 24nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 20A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
Td (on/off) @ 25°C 15ns/118ns
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 1200V 16A 105W Through Hole IPAK (TO-251)
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGD3HF60HD ST CIs Calientes Especializados 505
STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 334
STGD3NB60FT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2750
STGD3NB60H ST CIs Calientes Especializados 2264
STGD3NB60HDT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2588
STGD3NB60SD-1 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2760
STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 393
STGD3NC120H ST CIs Calientes Especializados 63261

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