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STGD10NC60SDT4 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 18A 60W DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 390V, 5A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 60µJ (on), 340µJ (off)
Series PowerMESH™
Power - Max 60W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 25A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 5A
Td (on/off) @ 25°C 19ns/160ns
Supplier Device Package DPAK
Reverse Recovery Time (trr) 22ns
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 18nC
Current - Collector (Ic) (Max) 18A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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STGD10NC60HT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 6746
STGD10NC60HT4 IC ST CIs Calientes Especializados 1924
STGD10NC60K ST CIs Calientes Especializados 16
STGD10NC60KD ST CIs Calientes Especializados 545
STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 5287
STGD10NC60KT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2528
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