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STGB15H60DF
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STGB15H60DF Especificaciones técnicas
IGBT 600V 30A 115W D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 400V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 136µJ (on), 207µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 103ns |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 81nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
Td (on/off) @ 25°C | 24.5ns/118ns |
Supplier Device Package | D2PAK |
Power - Max | 115W |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
STGB15H60DF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para STGB15H60DF
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Hojas de datos
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Otros incluyen "STGB1" partes
Las siguientes partes incluyen 'STGB1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STGB10H60DF | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 2514 |
STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 6806 |
STGB10N60L | ST | CIs Calientes Especializados | 42834 |
STGB10NB37 | ST | CIs Calientes Especializados | 10000 |
STGB10NB37LZ | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 1465 |
STGB10NB37LZ GB10NB37LZ | ST | CIs Calientes Especializados | 1397 |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 4080 |
STGB10NB37LZT4G | ST | CIs Calientes Especializados | 2762 |
STGB10NB40LZ | ST | CIs Calientes Especializados | 1 |
STGB10NB40LZ GB10NB40LZ | ST | CIs Calientes Especializados | 940 |
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