STGB15H60DF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 30A 115W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 136µJ (on), 207µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 103ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 81nC
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Td (on/off) @ 25°C 24.5ns/118ns
Supplier Device Package D2PAK
Power - Max 115W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
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Las siguientes partes incluyen  'STGB1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGB10H60DF STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2514
STGB10M65DF2 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 6806
STGB10N60L ST CIs Calientes Especializados 42834
STGB10NB37 ST CIs Calientes Especializados 10000
STGB10NB37LZ STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 1465
STGB10NB37LZ GB10NB37LZ ST CIs Calientes Especializados 1397
STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 4080
STGB10NB37LZT4G ST CIs Calientes Especializados 2762
STGB10NB40LZ ST CIs Calientes Especializados 1
STGB10NB40LZ GB10NB40LZ ST CIs Calientes Especializados 940

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