STFU18N65M2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 12A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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STFU10NK60Z STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1431
STFU13N60M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2648
STFU13N65M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2685
STFU13N80K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2632
STFU15N80K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11653
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