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STF8N60DM2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ DM2
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 449pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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STF8N60DM2 Documentos

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Otros incluyen   "STF8N"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STF8N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34423
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STF8N65M5 8N65M5 ST CIs Calientes Especializados 790
STF8N80K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1422
STF8N80K5 2SK4013 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 32363
STF8N90K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2652
STF8NK100Z STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9128
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