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STD7N60M2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 271pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
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STD7N60M2 Documentos

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Otros incluyen   "STD7N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD7N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD7N52DK3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2796
STD7N52DK3 MOS ST CIs Calientes Especializados 1144
STD7N52K3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 17879
STD7N52K3 ST ST CIs Calientes Especializados 2382
STD7N60 ST CIs Calientes Especializados 2330
STD7N60DM2 STM CIs Calientes Especializados 2545
STD7N60M6 ST CIs Calientes Especializados 9992
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 17359
STD7N65M6 ST CIs Calientes Especializados 9258
STD7N65M6 IC ST CIs Calientes Especializados 1599

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