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STD70N10F4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 60A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DeepGATE™, STripFET™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Otros incluyen   "STD70"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD70' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD70GK08 Sirectifier Módulos IGBT 2722
STD70GK08B Sirectifier Módulos IGBT 2763
STD70GK12 Sirectifier Módulos IGBT 2651
STD70GK12B Sirectifier Módulos IGBT 2610
STD70GK14 Sirectifi Módulos IGBT 2607
STD70GK14B Sirectifier Módulos IGBT 2758
STD70GK16 Sirectifier Módulos IGBT 2738
STD70GK16B Sirectifier Módulos IGBT 2542
STD70GK18 Sirectifier Módulos IGBT 2787
STD70GK18B Sirectifier Módulos IGBT 2702

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