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STD3NK80Z-1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
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STD3NK80Z-1 Documentos

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Otros incluyen   "STD3N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD3N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD3N30L ST CIs Calientes Especializados 2628
STD3N40K3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20905
STD3N40K3 IC ST CIs Calientes Especializados 12743
STD3N40K3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 7797
STD3N62K3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15286
STD3N62K3 IC ST CIs Calientes Especializados 20204
STD3N62K3 MOS ST CIs Calientes Especializados 1491
STD3N62K3-1 ST CIs Calientes Especializados 795
STD3N62K3/STD3N62 ST CIs Calientes Especializados 2775
STD3N65M6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2622

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