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STD2HNK60Z-1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
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Otros incluyen   "STD2H"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD2H' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD2HNK60Z STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1412
STD2HNK60Z MOS ST CIs Calientes Especializados 2268
STD2HNK60Z-1 MOS ST CIs Calientes Especializados 10725
STD2HNK60Z-1SK ST CIs Calientes Especializados 2468
STD2HNK60ZT4 ST CIs Calientes Especializados 1897

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