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STD25NF10T4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ II
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 12.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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STD25NF10T4 Documentos

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Otros incluyen   "STD25"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD25' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD25 Bussmann (Eaton) Fusibles Especiales, Eléctricos 2774
STD253GK08 SIRECTIFIER Módulos IGBT 2635
STD253GK12 SIRECTIFIER Módulos IGBT 2684
STD253GK14 SIRECTIFI Módulos IGBT 2548
STD253GK16 SIRECTIFIER Módulos IGBT 2755
STD253GK18 SIRECTIFIER Módulos IGBT 2660
STD2555NL S CIs Calientes Especializados 10500
STD2596-ADJ SEMTRON CIs Calientes Especializados 584
STD25N10 ST CIs Calientes Especializados 22808
STD25N10F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34691

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