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STD1NK80Z-1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
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STD1NK80Z-1 Documentos

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Otros incluyen   "STD1N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD1N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD1N20SPY-TR ST CIs Calientes Especializados 4000
STD1N60 VB CIs Calientes Especializados 5000
STD1NA60 ST CIs Calientes Especializados 2665
STD1NB40 ST CIs Calientes Especializados 3491
STD1NB50-1 ST CIs Calientes Especializados 993
STD1NB52 ST CIs Calientes Especializados 1000
STD1NB60 ST CIs Calientes Especializados 35
STD1NB60T4 ST CIs Calientes Especializados 35944
STD1NB80 ST CIs Calientes Especializados 3486
STD1NB80-1 ST CIs Calientes Especializados 24219

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