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STD16N65M2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 718pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Otros incluyen   "STD16"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD16' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD16 Bussmann (Eaton) Fusibles Especiales, Eléctricos 2705
STD160 ST CIs Calientes Especializados 709
STD160-1 ST CIs Calientes Especializados 10237
STD165GK08 Sirectifier Módulos IGBT 2617
STD165GK08B Sirectifier Módulos IGBT 2545
STD165GK12 Sirectifi Módulos IGBT 2713
STD165GK12B Sirectifier Módulos IGBT 2548
STD165GK14 Sirectifier Módulos IGBT 2797
STD165GK14B Sirectifier Módulos IGBT 2789
STD165GK16 Sirectifier Módulos IGBT 2744

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