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STD11NM65N
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STD11NM65N Especificaciones técnicas
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 455 mOhm @ 5.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ II |
Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "STD11" partes
Las siguientes partes incluyen 'STD11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STD1109T-470M-B-C | CHILISIN | CIs Calientes Especializados | 653 |
STD110N02RT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 2809 |
STD110N02RT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
STD110N02RT4G-VF01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2604 |
STD110N8F6 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 122483 |
STD110NH02L | ST | CIs Calientes Especializados | 480 |
STD110NH02LT4 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 7891 |
STD110NH02LT4 MOS | ST | CIs Calientes Especializados | 2808 |
STD116GK08 | Sirectifier | Módulos IGBT | 2738 |
STD116GK08B | Sirectifier | Módulos IGBT | 2726 |
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