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STD110N8F6 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ F6
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9130pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Otros incluyen   "STD11"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD1109T-470M-B-C CHILISIN CIs Calientes Especializados 653
STD110N02RT4G ON CIs Calientes Especializados 2809
STD110N02RT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
STD110N02RT4G-VF01 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2604
STD110NH02L ST CIs Calientes Especializados 480
STD110NH02LT4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7891
STD110NH02LT4 MOS ST CIs Calientes Especializados 2808
STD116GK08 Sirectifier Módulos IGBT 2738
STD116GK08B Sirectifier Módulos IGBT 2726
STD116GK12 Sirectifier Módulos IGBT 2631

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