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STD10PF06T4 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 10A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ II
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Otros incluyen   "STD10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD10 Bussmann (Eaton) Fusibles Especiales, Eléctricos 2704
STD1001VH02L STM CIs Calientes Especializados 2800
STD100GK08 Sirectifier Módulos IGBT 2613
STD100GK08B Sirectifier Módulos IGBT 2503
STD100GK12 Sirectifier Módulos IGBT 2552
STD100GK12B Sirectifier Módulos IGBT 2583
STD100GK14 Sirectifier Módulos IGBT 2673
STD100GK14B Sirectifier Módulos IGBT 2774
STD100GK16 Sirectifi Módulos IGBT 2786
STD100GK16B Sirectifier Módulos IGBT 2750

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