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STD10NF30 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™
Power Dissipation (Max) 103W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 300V 10A (Tc) 103W (Tc) Surface Mount DPAK
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Las siguientes partes incluyen  'STD10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD10 Bussmann (Eaton) Fusibles Especiales, Eléctricos 2704
STD1001VH02L STM CIs Calientes Especializados 2800
STD100GK08 Sirectifier Módulos IGBT 2613
STD100GK08B Sirectifier Módulos IGBT 2503
STD100GK12 Sirectifier Módulos IGBT 2552
STD100GK12B Sirectifier Módulos IGBT 2583
STD100GK14 Sirectifier Módulos IGBT 2673
STD100GK14B Sirectifier Módulos IGBT 2774
STD100GK16 Sirectifi Módulos IGBT 2786
STD100GK16B Sirectifier Módulos IGBT 2750

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