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STD105N10F7AG
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STD105N10F7AG Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | STripFET™ F7 |
Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 40A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4369pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'STD10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STD10 | Bussmann (Eaton) | Fusibles Especiales, Eléctricos | 2704 |
STD1001VH02L | STM | CIs Calientes Especializados | 2800 |
STD100GK08 | Sirectifier | Módulos IGBT | 2613 |
STD100GK08B | Sirectifier | Módulos IGBT | 2503 |
STD100GK12 | Sirectifier | Módulos IGBT | 2552 |
STD100GK12B | Sirectifier | Módulos IGBT | 2583 |
STD100GK14 | Sirectifier | Módulos IGBT | 2673 |
STD100GK14B | Sirectifier | Módulos IGBT | 2774 |
STD100GK16 | Sirectifi | Módulos IGBT | 2786 |
STD100GK16B | Sirectifier | Módulos IGBT | 2750 |
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