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STD100N10F7 Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 100V 80A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DeepGATE™, STripFET™ VII
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4369pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Otros incluyen   "STD10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STD10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STD10 Bussmann (Eaton) Fusibles Especiales, Eléctricos 2704
STD1001VH02L STM CIs Calientes Especializados 2800
STD100GK08 Sirectifier Módulos IGBT 2613
STD100GK08B Sirectifier Módulos IGBT 2503
STD100GK12 Sirectifier Módulos IGBT 2552
STD100GK12B Sirectifier Módulos IGBT 2583
STD100GK14 Sirectifier Módulos IGBT 2673
STD100GK14B Sirectifier Módulos IGBT 2774
STD100GK16 Sirectifi Módulos IGBT 2786
STD100GK16B Sirectifier Módulos IGBT 2750

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