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STB8NM60D Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Otros incluyen   "STB8N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STB8N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB8N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5200
STB8N90K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2562
STB8NA50 ST CIs Calientes Especializados 5004
STB8NA50T4 ST/ CIs Calientes Especializados 4784
STB8NC50 ST CIs Calientes Especializados 50000
STB8NC50-1 ST CIs Calientes Especializados 50000
STB8NC50T4 ST CIs Calientes Especializados 1268
STB8NC70Z ST CIs Calientes Especializados 50000
STB8NC70Z-1 ST CIs Calientes Especializados 55500
STB8NC70ZT4 ST CIs Calientes Especializados 7500

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