STB80NF10T4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ II
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 182nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB8042T4 ON CIs Calientes Especializados 1950
STB80L60 SAMHOP CIs Calientes Especializados 50258
STB80N03 ST CIs Calientes Especializados 1594
STB80N03L-06 ST CIs Calientes Especializados 2442
STB80N20M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1151
STB80N20M5 80N20M5 ST CIs Calientes Especializados 674
STB80N4F6AG STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2460
STB80NE03L ST CIs Calientes Especializados 1220
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STB80NE03L-06-1 ST CIs Calientes Especializados 50000

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