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STB50NE10T4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB50N25M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32999
STB50N25M5 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5503
STB50NE08 ST CIs Calientes Especializados 32363
STB50NE10 ST CIs Calientes Especializados 551
STB50NE10L ST CIs Calientes Especializados 32363
STB50NE10L-T4 STM CIs Calientes Especializados 32363
STB50NF10 ST CIs Calientes Especializados 9500
STB50NF25 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
STB50NH02L ST CIs Calientes Especializados 32363

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