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STB36NM60N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 83.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 14.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2722pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
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Otros incluyen   "STB36"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB36NF02L ST CIs Calientes Especializados 2500
STB36NF02L-TR VB CIs Calientes Especializados 5000
STB36NF03L ST CIs Calientes Especializados 343
STB36NF03L-TR VB CIs Calientes Especializados 5000
STB36NF03LT4 ST CIs Calientes Especializados 112858
STB36NF06L-TR VB CIs Calientes Especializados 5000
STB36NF06LT4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11173
STB36NF06LT4 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5337
STB36NM60ND STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2616

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