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STB27NM60ND Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Otros incluyen   "STB27"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB270N04 ST CIs Calientes Especializados 561
STB270N04 MOS ST CIs Calientes Especializados 564
STB270N04-1 ST CIs Calientes Especializados 32363
STB270N4F3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7438
STB270N4F3-6 ST CIs Calientes Especializados 2301

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