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STB18NM80 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB180N55F3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32409
STB185N55F ST CIs Calientes Especializados 32363
STB185N55F3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32764
STB18N55M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10291
STB18N60DM2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2712
STB18N60M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2368
STB18N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 644
STB18NF25 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 43995
STB18NF25 MOS ST CIs Calientes Especializados 84327
STB18NF30 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1385

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