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STB16NM50N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 7.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB160N75F3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5477
STB160N75F3 MOS ST CIs Calientes Especializados 1681
STB160NF03L ST CIs Calientes Especializados 2734
STB160NF03LT4 ST CIs Calientes Especializados 1121
STB160NF3LLT4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2692
STB16N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31949
STB16N65M5 MOS ST CIs Calientes Especializados 759
STB16N90K5 ST CIs Calientes Especializados 1989
STB16NF06 ST CIs Calientes Especializados 10
STB16NF06L VB CIs Calientes Especializados 10000

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