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STB13NM50N-1
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STB13NM50N-1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | I2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ II |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'STB13'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STB13005-1 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9172 |
STB13005A | ST | CIs Calientes Especializados | 45 |
STB13007DT4 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5295 |
STB130N6F7 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16248 |
STB130NH02LT4 | ST | CIs Calientes Especializados | 2516 |
STB130NS04ZB B130NS04ZB | ST | CIs Calientes Especializados | 1102 |
STB130NS04ZBT4 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3800 |
STB13N60M2 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 140108 |
STB13N80K5 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 389 |
STB13NK60Z-1 | ST | CIs Calientes Especializados | 1292 |
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