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STB12NM50N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB12-2-2 Agastat Relays / TE Connectivity Marcadores 2699
STB12-2-2 TE Connectivity Raychem Cable Protection Marcadores
STB12-7-7 Agastat Relays / TE Connectivity Marcadores 2529
STB12-7-7 TE Connectivity Raychem Cable Protection Marcadores
STB120N10F4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2739
STB120N4F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10276
STB120N4F6 MOS ST CIs Calientes Especializados 1492
STB120N4LF6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20976
STB120N4LF6 MOS ST CIs Calientes Especializados 1516
STB120NF-10T4 ST CIs Calientes Especializados 18

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