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STB11NM60FDT4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FDmesh™
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Otros incluyen   "STB11"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STB11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STB110N55F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2600
STB1132 CJ CIs Calientes Especializados 1232
STB1132 Y AUK CIs Calientes Especializados 4800
STB1132-Y AUK CIs Calientes Especializados 1367
STB1132Y AUK CIs Calientes Especializados 5226
STB1188 AUK CIs Calientes Especializados 2378
STB1188 Y AUK CIs Calientes Especializados 103766
STB1188-Y AUK CIs Calientes Especializados 1423
STB1188LDM AUK CIs Calientes Especializados 27283
STB1188Y AUK CIs Calientes Especializados 15375

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