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SCTH90N65G2V-7 Especificaciones técnicas

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Atributo del producto Valor de atributo
Category SCTH90N65G2V-7
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Package / Case TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 7
Terminal Position SINGLE
Base Part Number SCTH90
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 330W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) +22V, -10V
Drain-source On Resistance-Max 0.024Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G7
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 50A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 18V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 18V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 110A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 220A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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