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SCT30N120 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package HiP247™
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Otros incluyen   "SCT30"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SCT300-300 Panduit Terminales - Conectores de Empalme de Cables 2510
SCT300-300 Panduit Corp Conectores de empalme de cables
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
SCT3022AL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 4322
SCT3022ALGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2739
SCT3030AL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 26
SCT3030ALGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2637
SCT3030ALGC11 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 585
SCT3030KL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 4222
SCT3030KLGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2685

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