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PD20010-E Especificaciones técnicas

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 13.6V
Transistor Type LDMOS
Power - Output 10W
Package / Case PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Gain 11dB
Current Rating 5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 40V
Supplier Device Package PowerSO-10RF (Formed Lead)
Packaging Tube
Noise Figure -
Frequency 2GHz
Current - Test 150mA
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Otros incluyen   "PD200"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PD200' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PD20010S-E STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2576
PD20010STR-E STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2716
PD20010TR-E STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2639
PD20012 NIEC CIs Calientes Especializados 2796
PD20015-E STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2552
PD20015C STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2597
PD20015S-E STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2508
PD20016 NO CIs Calientes Especializados 2929
PD200F120 SANREX Módulos IGBT 2958
PD200F160 IGBT Module Módulos IGBT 2703

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