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MJE802 Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Supplier Device Package SOT-32
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE800 MOT CIs Calientes Especializados 2706
MJE800 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJE8006 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6
MJE800G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2094
MJE800G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE800STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2924
MJE800STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5316
MJE800STU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE801STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2532
MJE801STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2563

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