MJD44H11T4-A Especificaciones técnicas

TRANS NPN 80V 8A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 20W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Supplier Device Package DPAK
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD44E3-1 MOT CIs Calientes Especializados 2764
MJD44E3G ON CIs Calientes Especializados 2735
MJD44E3T4 ON CIs Calientes Especializados 870
MJD44E3T4 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJD44E3T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 13886
MJD44E3T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD44E3T4G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 14274
MJD44H11 Original CIs Calientes Especializados 1478
MJD44H11 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJD44H11 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3339

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