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BYT12P-1000 Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 12A
Supplier Device Package TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr) 155ns
Package / Case TO-220-2
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 50µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 12A
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Las siguientes partes incluyen  'BYT12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BYT12-100 ST CIs Calientes Especializados 2733
BYT12-1000 ST CIs Calientes Especializados 2901
BYT12-1000E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 12500
BYT12-1000R ST CIs Calientes Especializados 2709
BYT12-100R ST CIs Calientes Especializados 2739
BYT12-1200 ST CIs Calientes Especializados 2872
BYT12-1200R ST CIs Calientes Especializados 2841
BYT12-200 ST CIs Calientes Especializados 2889
BYT12-200R ST CIs Calientes Especializados 2925
BYT12-300 ST CIs Calientes Especializados 2958

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