UPA2631T1R-E2-AX Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 6A 6SON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 6-HUSON (2x2)
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 3A, 1.8V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Las siguientes partes incluyen  'UPA26' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UPA2600T1R-E2-AX Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12262
UPA2610T1C-E1-A NEC CIs Calientes Especializados 12000
UPA2630T1R-E2-AX Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2545
UPA2650T1E-E2-AT Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
UPA2660T1R-E2-AX Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2292
UPA2670T1R-E2-AX Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2556
UPA2672T1R-E2-AX Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2761
UPA2680 NEC CIs Calientes Especializados 13200
UPA2680T1E-E2-AT NEC CIs Calientes Especializados 14677
UPA2680T1E-E2-AT/JM NEC CIs Calientes Especializados 34803

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