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RJK6015DPM-00#T1
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RJK6015DPM-00#T1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Supplier Device Package | TO-3PFM |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 10.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'RJK60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RJK6002DPD | R | CIs Calientes Especializados | 10502 |
RJK6002DPD MOS | Renesas Electronics America | CIs Calientes Especializados | 30437 |
RJK6002DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2711 |
RJK6002DPD-00-J2 | Renesas | CIs Calientes Especializados | 3645 |
RJK6002DPH-E0 | Renesas Electronics America | CIs Calientes Especializados | 22986 |
RJK6002DPH-E0#T2 | Renesas Electronics America | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2794 |
RJK6006DPD | RENESAS/ | CIs Calientes Especializados | 2693 |
RJK6006DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2680 |
RJK6006DPP-E0 | Renesas Electronics America | CIs Calientes Especializados | 22895 |
RJK6006DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2704 |
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