RJK6015DPM-00#T1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-3PFM
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RJK6002DPD R CIs Calientes Especializados 10502
RJK6002DPD MOS Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 30437
RJK6002DPD-00#J2 Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2711
RJK6002DPD-00-J2 Renesas CIs Calientes Especializados 3645
RJK6002DPH-E0 Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 22986
RJK6002DPH-E0#T2 Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2794
RJK6006DPD RENESAS/ CIs Calientes Especializados 2693
RJK6006DPD-00#J2 Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
RJK6006DPP-E0 Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 22895
RJK6006DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2704

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