RJK5012DPE-00#J3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 4-LDPAK
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case SC-83
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RJK5002DPD-00#J2 Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2769
RJK5003 RENESAS CIs Calientes Especializados 797
RJK5003DP RENESAS CIs Calientes Especializados 2703
RJK5003DPB-00-J2 RENESAS CIs Calientes Especializados 3345
RJK5003DPD Renesas CIs Calientes Especializados 11574
RJK5003DPD RJK5003 Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 626
RJK5003DPD-00-J2 RENESAS CIs Calientes Especializados 10269
RJK5003DPD-01-J2 RENESAS CIs Calientes Especializados 6726
RJK5003S Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 2900
RJK5006DPD Renesas CIs Calientes Especializados 1035

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