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RJK2009DPM-00#T0
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RJK2009DPM-00#T0 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Supplier Device Package | TO-3PFM |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
RJK2009DPM-00#T0 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RJK20" partes
Las siguientes partes incluyen 'RJK20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RJK2006DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2633 |
RJK2006DPE-TL-E | R | CIs Calientes Especializados | 10500 |
RJK2006DPJ | R | CIs Calientes Especializados | 5500 |
RJK2009 | RENEAS | CIs Calientes Especializados | 5330 |
RJK2009DPM | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 475 |
RJK2009DPM-01SE | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 1530 |
RJK2017 | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 2770 |
RJK2017DPE | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 2720 |
RJK2017DPE-00-J3 | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 5345 |
RJK2017DPE-00-J3 MOS | Renesas Electronics America | CIs Calientes Especializados | 745 |
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