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RJH60D5BDPQ-E0#T2
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RJH60D5BDPQ-E0#T2 Especificaciones técnicas
IGBT 600V 75A 200W TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 300V, 37A, 5 Ohm, 15V |
Switching Energy | 400µJ (on), 810µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 78nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 37A |
Td (on/off) @ 25°C | 50ns/130ns |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power - Max | 200W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
RJH60D5BDPQ-E0#T2 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RJH60" partes
Las siguientes partes incluyen 'RJH60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RJH6075 | Renesas Electronics America | CIs Calientes Especializados | 870 |
RJH60A01RDPD-A0 | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 18000 |
RJH60A01RDPD-A0#J2 | Renesas Electronics America | Transistores - IGBTs - Individual | 2635 |
RJH60A81RDPD-A0#J2 | Renesas Electronics America | Transistores - IGBTs - Individual | 2773 |
RJH60A83RDPD-A0#J2 | Renesas Electronics America | Transistores - IGBTs - Individual | 2503 |
RJH60A83RDPE-00#J3 | Renesas Electronics America | Transistores - IGBTs - Individual | 2605 |
RJH60A83RDPN-E0#T2 | Renesas Electronics America | Transistores - IGBTs - Individual | 2750 |
RJH60A83RDPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | Transistores - IGBTs - Individual | 2619 |
RJH60A85RDPE-00#J3 | Renesas Electronics America | Transistores - IGBTs - Individual | 2603 |
RJH60D | RJ | CIs Calientes Especializados | 30 |
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