NP90N06VLG-E1-AY Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 90A TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8 mOhm @ 45A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NP90N03VHG Renesas CIs Calientes Especializados 50295
NP90N03VHG-E1-AY Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 516
NP90N03VHG-E2-AY RENESAS CIs Calientes Especializados 496
NP90N03VLG Renesas CIs Calientes Especializados 50234
NP90N03VLG-E1-AY Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 481
NP90N03VLG-E2-AY RENESAS CIs Calientes Especializados 505
NP90N03VUG R CIs Calientes Especializados 10446
NP90N03VUG-E1-AY VB CIs Calientes Especializados 5000
NP90N04 Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 4000
NP90N04MUG-S18-AY Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736

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