NP60N04MUG-S18-AY Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 60A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NP60N03KUG VB CIs Calientes Especializados 10500
NP60N03KUG-E1-AY Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10000
NP60N03SUG NEC CIs Calientes Especializados 1768
NP60N03SUG(1)-E1-AY Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2596
NP60N03SUG-E1-AY Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 485
NP60N03SUG-E2-AY RENESAS CIs Calientes Especializados 391
NP60N04HLF VB CIs Calientes Especializados 1000
NP60N04ILF-E1-AY R CIs Calientes Especializados 10000
NP60N04ILF-E1-AZ N CIs Calientes Especializados 2085
NP60N04KUG NEC CIs Calientes Especializados 6999

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