NP55N055SDG-E1-AY Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 55A TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK)
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 28A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
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NP55N03SUG R CIs Calientes Especializados 11998
NP55N03SUG MOS NEC CIs Calientes Especializados 2903
NP55N03SUG-E1-AY Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 555
NP55N03SUG-E2-AY RENESAS CIs Calientes Especializados 367
NP55N04SLG-E1-AY RENESAS CIs Calientes Especializados 8870
NP55N04SUG RENESAS CIs Calientes Especializados 13164
NP55N04SUG MOS Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 349
NP55N04SUG-E1 RENESAS CIs Calientes Especializados 2900
NP55N04SUG-E1-AY N CIs Calientes Especializados 17936
NP55N04SUG-E1-AZ Renesas CIs Calientes Especializados 13668

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