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NP100P04PDG-E1-AY Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-263
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15100pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NP1003MR-G CIs Calientes Especializados 1252
NP100N04MDH-S18 VB CIs Calientes Especializados 500
NP100N04MUH-S18 VB CIs Calientes Especializados 500
NP100N04PDH VB CIs Calientes Especializados 1000
NP100N04PUH VB CIs Calientes Especializados 1000
NP100N04PUK VB CIs Calientes Especializados 1000
NP100N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20221
NP100N055 NEC CIs Calientes Especializados 837
NP100N055MDH-S18 VB CIs Calientes Especializados 2000
NP100N055MUH-S18 VB CIs Calientes Especializados 10457

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NP100P04PDG-E1-AY fabricantes de marca: Renesas Electronics America, Bonchip existencias, NP100P04PDG-E1-AY precio de referencia. NP100P04PDG-E1-AY parámetros, NP100P04PDG-E1-AY Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el NP100P04PDG-E1-AY Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar NP100P04PDG-E1-AY diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, NP100P04PDG-E1-AY tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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