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HAT1072H-EL-E Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package LFPAK
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case SC-100, SOT-669
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9500pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "HAT10"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HAT1000-S LEM Módulos IGBT 2775
HAT1000S LTM Módulos IGBT 1482
HAT1001F-ER HIT CIs Calientes Especializados 1347
HAT1004F-EL HITACHI CIs Calientes Especializados 2500
HAT1016R R CIs Calientes Especializados 50000
HAT1016R MOS Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 3479
HAT1016R-EL-E RENESAS CIs Calientes Especializados 6988
HAT1016RJ R CIs Calientes Especializados 39000
HAT1020R R CIs Calientes Especializados 17949
HAT1020R-EL RENESAS CIs Calientes Especializados 31498

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