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VT6T2T2R Especificaciones técnicas
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | TIN COPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 6 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transition Frequency | 300MHz |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.15W |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2017 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 150mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA 6V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Frequency - Transition | 300MHz |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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