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VT6J1T2CR Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 120mW |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
Power - Max | 120mW |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100μA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.1A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2012 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ω @ 100mA, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 100mA |
DS Breakdown Voltage-Min | 20V |
FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
Lead Free | Lead Free |
VT6J1T2CR Documentos
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "VT6J1" partes
Las siguientes partes incluyen 'VT6J1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
VT6J1T2CR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2676 |
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