US6X8TR Especificaciones técnicas

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Power - Max 400mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Frequency - Transition 320MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transition Frequency 320MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 0.4W
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