UMZ2NTR Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Current Rating 150mA
Base Part Number *MZ2
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 180MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Max Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 120
VCEsat-Max 0.4 V
Length 2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 180MHz
Frequency - Transition 180MHz 140MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Continuous Collector Current 150mA
Height 700μm
Width 1.25mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMZ2N ROHM CIs Calientes Especializados 132418
UMZ2N TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 63000
UMZ2NFHATR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 6724
UMZ2NTR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 17998

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