UMH8NTR Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SC
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Pin Count 6
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 100
VCEsat-Max 0.3 V
Length 2.1mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature DIGITAL
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 300mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
DC Current Gain-Min (hFE) 100
Height 900μm
Width 1.35mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMH8N TR ROHM CIs Calientes Especializados 2800
UMH8NTR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 15000
UMH8NTR IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 15412

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